Транзисторы полевые

01.06.2022 0 Автор admin

Полевой транзистор mosfet с изолированным затвором представляет собой транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Поэтому у транзистора очень большое входное сопротивление (у некоторых моделей оно достигает 1017 Ом).

Ключевые характеристики униполярных транзисторов, которые следует учитывать при выборе подходящего устройства:

управляющее напряжение;

В состоянии разомкнутой цепи — максимальное значение внутреннего сопротивления и допустимого постоянного тока;

Максимально допустимое напряжение в закрытом состоянии — прямого типа.

Разница между униполярным транзистором и биполярным транзистором
МОП-транзисторы управляются электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к затвору относительно истока. Полярность приложенного напряжения определяется типом канала транзистора (p или n). В отличие от однополярных биполярных транзисторов они управляются током. Электрический ток во всех типах этих полупроводников формируется двумя видами электрических зарядов — электронами и дырками.

В отличие от биполярных транзисторов, полевые (униполярные) транзисторы по своей природе менее шумны в диапазоне низких частот. Эта особенность обеспечивает их эффективную работу в устройствах звукоусиления. МОП-транзисторы используются в схемах усилителей низкой частоты в автомобильных плеерах.

Типы МОП-транзисторов

Униполярные транзисторы классифицируются как p-канальные или n-канальные. Они могут иметь:

Собственный (встроенный) канал. Канал открывается без напряжения. Для закрытия канала необходимо подать ток определенной полярности.

Индукционный (обратный) канал. Он выключен, когда ток не подается. Для его включения подайте напряжение нужной полярности. Для n-канальных транзисторов напряжение запуска положительно по отношению к истоку. Его значение должно быть больше установленного порога для этого транзистора. Для p-канальной модели напряжение затвора, приложенное к затвору, отрицательно по отношению к истоку.

На примере проводящих устройств n-типа представлен принцип работы МОП-транзисторов.
Схемы на униполярных транзисторах с изолированным затвором и проводимостью n-типа включают:

кремниевая подложка. В подложке n-типа на месте решетки кремния находятся отрицательно заряженные атомы и свободные электроны, что достигается введением специальных примесей.

Диэлектрик. Используется для изоляции кремниевой подложки от электрода затвора. В качестве диэлектрика используется оксид кремния.